政策及业绩双轮驱动，板块高弹性属性进一步凸显。2024年申万保险II指数上涨37.8%，跑赢沪深300/申万证券II指数23/3pct，板块主要经 历两波行情：1）新“国九条”+一季报业绩超预期+地产、长债利好共同催化保险板块上涨；2）“9·24”以来一揽子刺激政策行情。保险板 块高弹性特征进一步凸显主要受两方面因素影响：1）资产端压力因素边际改善带来向上的估值弹性；2）保险板块的资管属性显著高于其他板块，新会计准则落地后，资本市场的波动更为直观地在当期业绩中体现。

契税减免利好落地，促进备案数据大幅改善 12 月 6 日，国家税务总局最新数据显示，12 月 1 日至 5 日，全国共有 36.4 万户购房家庭申报享受了契税税收优惠，累计减免契税 84 亿元，户均减免 2.3 万元。税收政策进一步促进购房需求释放，12 月 1 日至 5 日，全国房 屋交易累计申报 55.3 万套，同比增长 24.8%。其中，北、上、广、深同比 分别增长 62.2%、87.2%、27.5%和 66.4%。 我们认为，12 月契税政策减免落地，促进网签备案数据环比改善。叠加房 企年底冲量促销，年底成交量或走出翘尾行情。

机器视觉:智能制造的眼睛 机器视觉是人工智能的基础应用技术之一，通过模拟人类视觉系统， 赋予机器“看”和“认知”的能力。机器视觉作为智能机器视觉能够 在多种场景下替代人眼实现多种功能，主要包括识别、测量、定位和 检测。机器视觉作为现代工业与技术的核心驱动力，在提升生产效率、 保障作业安全、推动智能制造􏰀产业升级方面展现出了非凡的重要性 和无限潜力。 机器视觉市场增长稳健，国内厂商逐步崛起

宏观政策:财政部发布《关于政府采购领域本国产品标准及实施政策有关事项 的通知(征求意见稿)》，明确国内产品标准及政府采购支持力度，国产替代具 备 3-5 年关键窗口期。根据中华人民共和国财政部官网，2024 年 12 月 5 日， 财政部发布《关于政府采购领域本国产品标准及实施政策有关事项的通知(征 求意见稿)》及其起草说明(下称文件)。文件指出，在政府采购活动中，给予 本国产品相对于非本国产品 20%的价格评审优惠。文件指出，本国产品是指同 时符合“产品在中国境内生产”、“产品在中国境内生产的组件成本占比达到规 定比例”、“符合对特定产品的关键组件、关键工序等要求”条件的产品，并且 标准现阶段适用于货物，主要是工业制造品，不包括农林牧副渔产品和矿产品 等。在政府采购活动中既有本国产品又有非本国产品参与竞争的，对本国产品 的报价给予 20%的价格扣除，用扣除后的价格参与评审;采购项目或者采购包 中包含多种产品，供应商提供的符合本国产品标准的产品成本之和占该供应商 提供产品的成本总和 80%以上的，对该供应商提供的产品整体给予 20%的价格 扣除，用扣除后的价格参与评审。同时，财政部将会同相关部门在充分征求包 括内外资企业、协会商会在内的各方意见的基础上，于 3 到 5 年内制定有关产 品的中国境内生产组件成本比例要求，以及对特定产品的关键部件和关键工序 要求。在此之前，只要产品在中国境内生产，在政府采购活动中即视同为本国 产品。

固定资产投资:1-11 月全国铁路完成固定资产投资同比增长 11.1%，11 月单月 同比增长 12.48%。根据中国铁路微信公众号和 Wind，2024 年 1-11 月全国铁路 完成固定资产投资 7117 亿元，同比增长 11.1%，其中 11 月单月全国铁路完成固 定资产投资 766 亿元，同比增长 12.48%。

总体来看，当前经济处于V型反弹的初始阶段，8月是全年经济的底部，9月是筑底企稳的起点，10月和11月延续回升向好态势。

1、HBM需求旺盛，是高成长赛道。AI对于HBM的需求旺盛，三大国际原厂不断迭代技术、扩充产能来满足下游需求，预计2024年底SK 海力士、三星和美光的TSV产能合计为27.5万片/月，2025年将新增9万片月产能达到36.5万片/月。 2、美方新规将HBM纳入管制倒逼自主可控，国内已有HBM产能布局。12月2日，美国BIS发布新一轮制裁方案，在存储芯片方面，除了 修改先进DRAM的定义，还将HBM纳入管制范围(当前所有HBM都满足管制规定)。HBM制造由三大国际原厂垄断，若国内HBM进口受限， 势必会倒逼国产替代。今年以来，武汉新芯和芯浦天英(长鑫相关实体)先后宣布HBM的扩产计划，有望开启国内HBM制造自主可控 的道路。

着半导体遵循着摩尔定律纳米制程进步、TDP(热设计功耗)上升，芯片热流 密度变得越来越高，散热革命成为 AI、HPC 时代最大挑战。当芯片表面温度达 到 70-80°C时，温度每增加 1°C，芯片可靠性就会下降 10%;设备故障超过 55% 与过热直接相关。金刚石是已知热导率最高的材料，热导率达硅(Si)13 倍、碳 化硅(Sic)4 倍，铜和银 4-5 倍，并具有超宽禁带半导体优异特质，被视为“第 四代半导体”或“半导体终极材料”。与 SiC 相比，钻石芯片成本可便宜 30%， 所需材料面积仅为 SiC 芯片 1/50，减少 3 倍能量损耗，并将芯片体积缩小 4 倍。