机电产品出口增速有所改善，手机、音频设备反弹明显：1-2 月农产品、机电产品、高新技术产品增速分别为2.3%（前值3.5%）、-7.2%（前值-12.7%）和-18.7%（前值-25.7%）。其中手机出口（+2%）、音视频设备及其零件出口（-3.7%）增速回升超10 个百分点，通用机械设备（-3.7%）、家用电器（-13.2%）、汽车零配件（+4%）、自动数据处理设备及其零部件（-32.1%）增速亦小幅回升；医疗仪器与器械（-13.4%）、灯具照明（-17%）、集成电路（-25.8%）、汽车包括底盘（+65.2%）、船舶（-25%）增速持续回落，其中船舶增速大幅下降超60 个百分点。

2 月27 日~3 月2 日，世界移动通信大会（MWC2023）于巴塞罗那召开，主题为“速度”，分为 5G 新动能/超越现实+/开放网络/金融科技/数字万物五个子主题。本届MWC 亮点如下：1）23 年运营商向5G 应用生态主导转型，展示算力网络、云网融合的阶段性成果；2）华为、中兴等通信设备厂商升级产品性能，加速向5.5G、自智网络演进；3）卫星智能手机时代渐近，高通宣布骁龙卫星通信合作厂商，联发科发布3GPP 5G NTN 芯片，首批商用手机亮相；4）消费电子终端仍在尝试对产品进行微创新、微升级。推荐关注：中国移动、中兴通讯、紫光股份、移远通信、美格智能、海格通信。

据新华网英文版，2023 年我国国防支出预算约为15537 亿元，同比+7.2%，增速创2019 年以来最高。对比其他军事强国国防预算占GDP 比例，我国军费或仍有提升空间。我们认为2023 年国防预算的公布有助于稳定市场对行业长期稳健发展的信心，有利于板块估值修复，同时国企改革提速有望持续催化板块情绪，并带动部分军工央企估值重塑。推荐具备估值修复空间的绩优股，以及边际增速向上的“新领域”方向。

我们复盘了国内外集成电路产业扶持政策和国内新能源车产业的发展经验，并尝试对政策深化的可能路径进行分析，我们认为政策未来可以围绕制定目标、组织协调、引导投资、支持人才、攻关机制、国际合作、财税政策、专项补贴、鼓励国产等方面展开，从当下产业安全角度出发，建议重点关注国内半导体产业链，尤其是半导体设备、零部件、材料、高端芯片等易“卡脖子”、后续有望获得政策推动的环节。

存储行业景气下行进入后半阶段，年内有望出现拐点。2022 年，全球存储芯片市场规模约1334 亿美元，占整个集成电路市场份额约23%。存储芯片由于标准化程度高，可替代性强，具备大宗商品属性，其价格变动可作为半导体景气度风向标。DRAM 和NAND Flash 作为主流产品，市场规模存在为期3-4 年的周期性波动，上一行业景气度高点为21H2-22H1，当前正处于下行周期，我们预期2023 年内行业有望恢复增长。

我们继续看多通信板块行情，关注数字基建。展望23年，我们认为：1）风险偏好爬升利好通信及主题性机会：受市场整体调整影响，通信板块大部分细分板块估值已调整至历史低位水平，具备配置价值。我们认为，23年市场或呈现风险偏好阶段性上行，风格利好通信及主题性投资机会。2）运营商资本开支侧重“东数西算”，有线侧基建景气度攀升：展望23年，我们判断国内三大运营商资本开支或进入下行周期，其中结构变化趋势仍持续，5G无线侧投资占比下降，有线侧及“东数西算”投资有望进一步加大。3）政府购买有望成为重要方向，利好数字基建：我们认为，在受疫情影响经济增长放缓的背景下，投资数字基建是刺激经济增长的重要手段，并且带来产能过剩、经济滞胀等问题的可能性较小，我们看好数字基建主题性行情机会。

薄片化是HJT 特有的降本项，助力&充分受益NP 硅片同价：（1）HJT采用低温工艺和板式镀膜设备，结合链式吸杂等工艺目前硅片厚度显著薄于PERC 和TOPCon 且有更大的硅片减薄潜力：PERC 硅片理论极限150 微米，TOPCon 理论极限厚度130 微米，HJT 量产片厚逐步切换120微米，理论极限80 微米，此次中环推出110 微米N 型硅片意味着更薄硅片产业化进程加速。（2）HJT 将充分受益且助推硅片薄片化带来的NP硅片同价。此次中环新增110 微米的N 型硅片价格均低于P 型150μm硅片，我们认为硅片薄片化能够节省硅料、降低硅片生产成本，但反映到售价端仍有进一步下降的空间，以210 为例，N 型110 微米硅片相较于P 型150 微米硅片厚度下降26.7%，售价下降2.2%，价格下降幅度低于硅料节约幅度。未来随着N 型硅片规模化形成充分竞争后有望进一步降低N 型硅片售价，推动HJT 产业化进程。

特斯拉HW4.0 硬件曝光，我们认为新一代硬件升级将持续利好计算芯片、存储芯片、光学模组、以太网接口、GPS 模组、通信模组和域控制器。具体体现在：1）FSD 芯片性能小幅提升，内核数量从12 个提升到20 个，TRIP 内核数量从 2 个增加到3 个。HW4.0 背板的CPU 和GPU 保持不变，仍然基于AMD 架构，HW4.0 整体提升了算力并降低功耗；2）内存容量、规格和价值量大幅度提升，容量上从8 颗2GB 升级到16 颗2GB，规格上从LPDDR4 升级到GDDR6，以往因算力需求不高以及GDDR 功耗过高等因素，导致车厂普遍使用LPDDR 系列芯片，特斯拉开创了在车载领域使用GDDR 的先河，预估价值量从上一代的20 美元提升到约200-250 美元；3）HW4.0 的摄像头接口由9 个增至12 个，前视摄像头采用像素更高的IMX490，对连接器的数据传输能力和可靠性提出更高要求；4）新增以太网连接器是单对线车载以太网接口，目的是接入4D 毫米波雷达，相较于传统毫米波雷达，连接器由CAN 接口升级为百兆以太网接口，最高传输速率有百倍提升；5）GPS 模块连接器新增L5 频率，由双频升级为三频，以提升定位精度；6）HW4.0 采用LTE-A 车规级无线通信模组AG525R-GL，但蓝牙与WiFi 还是LG INNOTEK 的ATC5CPC001，未来有进一步集成的空间。