衬底是产业链最核心的环节，直接制约碳化硅应用放量：碳化硅材 料属于第三代半导体，碳化硅产业链分为衬底材料制备、外延层生 长、器件制造以及下游应用，衬底属于碳化硅产业链上游，制备工艺 复杂，生长速度慢，产出良率低，是碳化硅产业链亟待突破的最核心 部分，也是国内外厂商重点发力的环节。根据CASA，产业链价值量 集中于衬底环节，目前价值量占整个产业链50%左右。与硅相比，碳 化硅衬底制备技术壁垒高，成本远高于硅衬底。碳化硅衬底制备过程 主要存在以下难点：一是对温度和压力的控制要求高，其生长温度在 2300℃以上；二是长晶速度慢，7 天的时间大约可生长2cm 碳化硅晶 棒；三是晶型要求高、良率低，只有少数几种晶体结构的单晶型碳化 硅才可作为半导体材料；四是切割磨损高，由于碳化硅的硬度极大， 在对其进行切割时加工难度较高且磨损多。昂贵的时间成本和复杂的 加工工艺使得碳化硅衬底的成本较高，限制了碳化硅的应用放量。随 着国内外企业布局碳化硅衬底研发，尺寸不断扩大、良率逐渐提升， 碳化硅衬底成本有望不断下降，提高下游应用市场渗透率。

11 月22 日上证指数上涨0.61%，沪深300 上涨0.41%，创业板综上涨2.26%，中 证1000 上涨1.84%。Wind 11 个一级行业分类中，信息技术、工业、和服务指数 分别实现1.98%、1.77%和1.00%的涨跌幅。 科技及智能设备产业链涉及的12 个Wind 三级行业分类中，排名前三的板块是电 气设备、半导体产品与半导体设备和电子设备、仪器和元件分别实现了3.41%、 3.43%和1.77%的涨跌幅；排名后三的板块是媒体Ⅲ、信息技术服务和航空航天和 国防Ⅲ，分别实现了-0.21%、-0.09%和0.51%的涨跌幅。

中国网安市场规模基数低而增速快，未来三年年均复合增速有望达到20%， 预计2024 年在全球网络安全市场的占比将提升至10%。复盘2007-2021 年 网安上市公司业绩表现，我们认为中国网安行业在短中周期内呈现β和α 特征交替轮动，长周期内呈现稳定β、α逐渐增强的特点。

本报告期计算机行业跑赢大盘，计算机行业上涨2.70%，沪深300 指数 上涨0.99%，计算机行业指数跑赢1.71pct，位于申万一级28 个行业中 的第16 位。

薄膜电容器和陶瓷电容器、铝电解电容器、钽电容器是当前电容器家族的主要成员。薄 膜电容器是在20 世纪30 年代开发出来的。虽然与积层陶瓷贴片电容器相比，很难小型 化，但由于绝缘电阻高，可靠性优异，被用于家电设备、车载电子设备、工业设备、电 力电子设备等。

光器件行业位于光通信产业链上游，行业特点是细分领域众多但单领域规模有限、产品定制化程度高、种类型号繁多、劳动密集型，近年来材料变化升级的趋势同样明显。

C 端流量爆发在即，2022年或开启新周期；后疫情下B段上云迅速，产业上下游交叉验证高景气；流量周期开启成长，云产业链有望价值重估。

半导体设备行业投资建议：建议关注上市公司包括北方华创、中微公司、至纯科 技、万业企业（凯世通）、芯源微、盛美上海、长川科技、华峰测控、华兴源创、 精测电子、晶盛机电、光力科技、盛剑环境、正帆科技、ASM Pacific（H）；非 上市公司有屹唐半导体、华海清科、沈阳拓荆、上海微电子、睿励科学仪器、东 方晶源。

供需紧张推动半导体行业新一轮高强度扩容，中美科技摩擦背景下国产化意愿全面加强。本土主要晶圆制造产线已过风险试产期，半导体设备国产化步入新篇章。