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44991.2013年10月(下半月)通信行业要闻综述
[计算机、通信和其他电子设备制造业,信息传输、软件和信息技术服务业] [2013-11-04]
报告从政策监管、行业要闻、区域要闻、企业要闻几个方面对10月下半月通信行业要闻进行了综述。
关键词:通信;软件;移动互联网;移动电信;LTE;宽带;5G
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44992.行业季度报告——房地产2013年2季度
[房地产业] [2013-11-04]
2季度,地方版“新国五条”正式实施,但对房地产市场的影响不断减弱,全国楼市总体延续“量价齐升”的回暖态势,不过增长速度由1季度的“猛增”调整为适度缓和的“快速增长”,下半年有望进一步调整为相对正常的“较快增长”。从供给层面来看,前期政策不确定性带来的抑制因素逐步解除,房地产开发投资基本稳定,土地市场不断回暖,新开工面积恢复增长。上半年,房地产开发投资同比增长20.3%,较上季度末提高0.1个百分点;土地购置面积同比下降10.4%,降幅较上季度末收窄11.6个百分点;新开工面积同比增长3.8%,恢复增长势头。
关键词:国房景气;房地产业;投资;融资;供给
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44993.2013年10月(下半月)医药行业要闻综述
[医药制造业] [2013-11-04]
国家食品药品监督管理总局网站10月15日消息,按照药品“两打两建”专项行动工作部署,药监总局组织对安徽、甘肃、广东和四川4个省相关单位生产、经营或使用的部分中药饮品进行了抽样。专项抽验共抽样397批,检验证实22批存在染色问题,共涉及红花、延胡索、西红花3个品种。为保护公众用药安全,现将存在染色问题的中药饮片及相关生产、经营和使用单位予以曝光。
关键词:医药行业;要闻综述;区域要闻
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44994.2013年10月下半月钢铁行业要闻综述
[黑色金属冶炼和压延加工业] [2013-11-04]
报告从政策监管、行业要闻、区域要闻、企业要闻几个方面对10月下半月钢铁行业要闻进行了综述。
关键词:钢铁;废钢;钢企
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44995.新兴产业周刊——2013年40期
[通用设备制造业,专用设备制造业,医药制造业,汽车制造业,化学原料和化学制品制造业,水利、环境和公共设施管理业,电力、热力、燃气及水生产和供应业] [2013-11-04]
本刊以七大战略性新兴产业——节能环保、新一代信息技术、生物、高端装备制造、新能源、新材料、新能源汽车为研究重点,关注国家高层和各部委的动态,剖析国家和地方的新兴产业政策。本刊设有政策导读、领导讲话、七大战略性新兴产业本周国内外行业动态和重点企业新闻、投资专题四大板块,能够实时监测新兴产业和重点企业动态,把握新兴产业发展方向,研究发展重点,寻求发展机遇。
关键词:节能环保;新一代信息技术;生物;高端装备制造;新能源;新材料;新能源汽车
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44996.2013年10月(下半月)石油和化工行业要闻综述
[石油加工、炼焦和核燃料加工业,化学原料和化学制品制造业] [2013-11-04]
《东方今报》报道,国家发改委10月14日向中石油、中石化、中海油等各省市部门发布通知预测称,今冬明春天然气供需矛盾较往年将更为突出,如遭遇持续低温等极端天气,保供形势将更加严峻。为此,要求三大石油巨头保持现有气田高负荷生产,确保新增产能按期投产,并多渠道增加进口。
关键词:石油和化工;行业要闻;区域要闻
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44997.2013年10月下半月汽车行业要闻综述
[汽车制造业] [2013-11-04]
报告从政策监管、行业要闻、区域要闻、企业要闻几个方面对10月下半月汽车行业要闻进行了综述。
关键词:新能源汽车;机动车;自主品牌;区域要闻;企业要闻
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44998.氮化镓(GaN)高功率电子(FY11)
[计算机、通信和其他电子设备制造业] [2013-11-03]
This report covers work done for the Director's Research Initiative (DSI) on Gallium Nitride (GaN) High Power Electronics (HPE) in which GaN devices are assessed in comparison to those fabricated from silicon carbide (SiC). We show that for low power applications (less than 1500 V) GaN diodes should have a lower on-resistance, and therefore less loss, than their SiC counterparts because the critical breakdown field and electron mobility are larger. We expect this will also be true for HPE GaN high electron mobility transistors (HEMTs) compared to SiC metal-oxide-semiconductor field effect transistors (MOSFETs). Although a few GaN devices have been made that have properties that exceed those made from SiC, these devices cannot yet be manufactured. Our work suggests the dominant problem is contamination of the metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) films by the carbon in the trimethyl gallium (TMGa). We suggest a better alternative is to grow the films by hydride vapor phase epitaxy (HVPE), which requires that conducting GaN substrates be grown to reduce the on-resistance (RON-SP) for the back side diodes. We also show that dislocations appear to strongly affect diode properties such as the ideality factor, but their effect on the breakdown voltage appears to be a less significant problem than was previously thought.
关键词:电子信息;电子;氮化镓;晶体管;二级管
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44999.2013年3季度墨菲石油利润同比增长26%
[石油加工、炼焦和核燃料加工业] [2013-11-01]
关键词:墨菲;石油;利润同比
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45000.2013年9月磷肥产量环比增加8.13万吨
[化学原料和化学制品制造业] [2013-11-01]
关键词:磷肥;产量环比