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三星获高通10亿美元5G AP代工订单
来源:中国电子企业协会 发布日期:2020-09-17
据BusinessKorea报道，三星电子已获得高通下一代5G高端智能手机移动应用处理器（或为骁龙875）的生产订单。
三星电子将以5nm工艺为高通生产下一代5G高端智能手机移动应用处理器（或为骁龙875），合同金额接近10亿美元。这是三星电子首次赢得高通全部的旗舰产品订单。
据悉，高通下一代5GAP（骁龙875）计划于12月上市。
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三星和韩科院已就FinFET技术专利诉讼达成和解
来源:中国电子企业协会 发布日期:2020-09-21
据韩媒TheElec报道，三星和韩国科学技术院（KAIST）已就FinFET技术专利诉讼达成和解。
据悉，涉案的FinFET专利允许芯片在提高性能的同时降低功率，最初由KAIST和首尔国立大学教授LeeJong-ho合作开发，并于2001年在美国和韩国获得了该项技术的专利。
KAIST于2016年11月29日在美国德克萨斯州地方法院对三
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三星获高通10亿美元5G AP代工订单
来源:中国电子企业协会 发布日期:2020-09-17
据BusinessKorea报道，三星电子已获得高通下一代5G高端智能手机移动应用处理器（或为骁龙875）的生产订单。
三星电子将以5nm工艺为高通生产下一代5G高端智能手机移动应用处理器（或为骁龙875），合同金额接近10亿美元。这是三星电子首次赢得高通全部的旗舰产品订单。
据悉，高通下一代5GAP（骁龙875）计划于12月上市。
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三星和韩科院已就FinFET技术专利诉讼达成和解
来源:中国电子企业协会 发布日期:2020-09-21
据韩媒TheElec报道，三星和韩国科学技术院（KAIST）已就FinFET技术专利诉讼达成和解。
据悉，涉案的FinFET专利允许芯片在提高性能的同时降低功率，最初由KAIST和首尔国立大学教授LeeJong-ho合作开发，并于2001年在美国和韩国获得了该项技术的专利。
KAIST于2016年11月29日在美国德克萨斯州地方法院对三
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三星获高通10亿美元5G AP代工订单
来源:中国电子企业协会 发布日期:2020-09-17
据BusinessKorea报道，三星电子已获得高通下一代5G高端智能手机移动应用处理器（或为骁龙875）的生产订单。
三星电子将以5nm工艺为高通生产下一代5G高端智能手机移动应用处理器（或为骁龙875），合同金额接近10亿美元。这是三星电子首次赢得高通全部的旗舰产品订单。
据悉，高通下一代5GAP（骁龙875）计划于12月上市。
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三星和韩科院已就FinFET技术专利诉讼达成和解
来源:中国电子企业协会 发布日期:2020-09-21
据韩媒TheElec报道，三星和韩国科学技术院（KAIST）已就FinFET技术专利诉讼达成和解。
据悉，涉案的FinFET专利允许芯片在提高性能的同时降低功率，最初由KAIST和首尔国立大学教授LeeJong-ho合作开发，并于2001年在美国和韩国获得了该项技术的专利。
KAIST于2016年11月29日在美国德克萨斯州地方法院对三
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三星获高通10亿美元5G AP代工订单
来源:中国电子企业协会 发布日期:2020-09-17
据BusinessKorea报道，三星电子已获得高通下一代5G高端智能手机移动应用处理器（或为骁龙875）的生产订单。
三星电子将以5nm工艺为高通生产下一代5G高端智能手机移动应用处理器（或为骁龙875），合同金额接近10亿美元。这是三星电子首次赢得高通全部的旗舰产品订单。
据悉，高通下一代5GAP（骁龙875）计划于12月上市。
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三星和韩科院已就FinFET技术专利诉讼达成和解
来源:中国电子企业协会 发布日期:2020-09-21
据韩媒TheElec报道，三星和韩国科学技术院（KAIST）已就FinFET技术专利诉讼达成和解。
据悉，涉案的FinFET专利允许芯片在提高性能的同时降低功率，最初由KAIST和首尔国立大学教授LeeJong-ho合作开发，并于2001年在美国和韩国获得了该项技术的专利。
KAIST于2016年11月29日在美国德克萨斯州地方法院对三
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三星获高通10亿美元5G AP代工订单
来源:中国电子企业协会 发布日期:2020-09-17
据BusinessKorea报道，三星电子已获得高通下一代5G高端智能手机移动应用处理器（或为骁龙875）的生产订单。
三星电子将以5nm工艺为高通生产下一代5G高端智能手机移动应用处理器（或为骁龙875），合同金额接近10亿美元。这是三星电子首次赢得高通全部的旗舰产品订单。
据悉，高通下一代5GAP（骁龙875）计划于12月上市。
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三星和韩科院已就FinFET技术专利诉讼达成和解
来源:中国电子企业协会 发布日期:2020-09-21
据韩媒TheElec报道，三星和韩国科学技术院（KAIST）已就FinFET技术专利诉讼达成和解。
据悉，涉案的FinFET专利允许芯片在提高性能的同时降低功率，最初由KAIST和首尔国立大学教授LeeJong-ho合作开发，并于2001年在美国和韩国获得了该项技术的专利。
KAIST于2016年11月29日在美国德克萨斯州地方法院对三
027-87841330