关键词：关 键 词: Cr 掺杂 ZnTe; 晶体生长; Te 夹杂相; 电学和光学性能
摘 要：摘 要: 以 CrTe 作为掺杂源、以 Te 作为溶剂, 用温度梯度溶液法生长了 Cr 掺杂的 ZnTe 晶锭。晶锭头部的晶粒尺寸较大(>10 mm×10 mm), 且 Te 夹杂相较少。Te 夹杂相的大小、形状和分布可以反映晶锭中的温场分布。晶锭的径向非对称温场导致富 Te 相沿径向非对称分布。Te 夹杂相在温度梯度作用下的热迁移会导致其相互融合长大、变长。Te 夹杂相也会在晶体中引入裂纹和空洞等缺陷。部分未被掺入 ZnTe 中的 CrTe 富集于固液界面处, 表明温度梯度溶液法生长晶体时具有一定的排杂作用。Cr掺杂的ZnTe晶体的电阻率(约1000 Ω·cm)高于未掺杂的ZnTe(约300...
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