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Fairchild新的扩展温度中压MOSFET额定结温为175℃
加工时间:2015-06-10 信息来源:半导体技术
关键词:结温;Fairchild;功率半导体;产品可靠性;电源转换;功率密度;性比;裕量;
摘 要:2015年3月18日,高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild正在利用其扩展温度(ET)中压MOSFET(能在175℃下工作)的扩充产品系列帮助生产商提高产品可靠性和性能。更高的工作温度将功率密度提高了85%,可靠性比额定值为150℃业内标准值的MOSFET高三倍。这一新的ET MOSFET产品系列符合IPC-9592电源转换标准,其最大结温可高达150℃,超过标准150℃MOSFET能达到的125℃,
内 容:原文可通过湖北省科技信息共享服务平台(http://www.hbstl.org.cn)获取
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