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SiCl4/TMAC-PC体系电沉积硅的研究
作者:张跃宏,李亚琼;李斌川;郭瑞 作者单位:东北大学秦皇岛分校;大连理工大学 加工时间:2015-07-15 信息来源:有色金属冶炼部分 索取原文[5 页]
关键词:离子液体;电沉积;硅
摘 要:研究了硅在SiCl4/TMAC-PC体系中的阴极沉积过程,分析了电解质体系的热稳定性和电导率,研究电流密度、温度等因素对沉积层表面形貌的影响。结果表明,SiCl4的加入使得TMAC-PC性增强,电解质的电导率随温度的升高而增大,在318K、cSiC l 4 =0. 5molL、电流密度i=15A m2、电沉积时间3h条件下得到的沉积层致密,呈球形颗粒状。
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