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衬底温度对Sn掺杂ZnO薄膜结构、电学和光学性能的影响

作者：方亮；吴芳；阮海波；魏文猴；黄秋柳；谌夏作者单位：重庆大学物理学院,重庆400044;重庆理工大学材料学院,重庆401331 加工时间：2013-12-15 信息来源：《材料导报》

关键词：Sn掺杂ZnO薄膜；射频磁控溅射；光学性质；电学性质
摘要：采用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备了掺杂浓度为0.5％(原子分数)的ZnO∶Sn(TZO)薄膜,研究了不同衬底温度下薄膜的结构、形貌、电学和光学的性能.研究发现,TZO薄膜沿着C轴择优生长,在400℃时结晶度最好,最低电阻率为2.619×10-2Ω·cm,在可见光范围内具有较好的透光率.

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