关键词：SiC；层厚；拉伸强度；显微结构
摘 要：采用流延法与化学气相渗透(chemical vapor infiltration,CVI)工艺相结合制备SiCw/SiC层状结构陶瓷,研究碳化硅晶须(SiC whisker,Si Cw)层的厚度对SiCw/SiC层状结构陶瓷拉伸性能和显微结构的影响.研究结果表明:适当的Si Cw层厚度能够有效提高SiCw/SiC层状结构陶瓷的致密度,改善其拉伸性能.当总厚度相同时,层厚梯度变化的陶瓷材料的密度和拉伸强度分别达到2.42 g·cm-3和92 MPa.
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