薄片化是HJT 特有的降本项，助力&充分受益NP 硅片同价：（1）HJT采用低温工艺和板式镀膜设备，结合链式吸杂等工艺目前硅片厚度显著薄于PERC 和TOPCon 且有更大的硅片减薄潜力：PERC 硅片理论极限150 微米，TOPCon 理论极限厚度130 微米，HJT 量产片厚逐步切换120微米，理论极限80 微米，此次中环推出110 微米N 型硅片意味着更薄硅片产业化进程加速。（2）HJT 将充分受益且助推硅片薄片化带来的NP硅片同价。此次中环新增110 微米的N 型硅片价格均低于P 型150μm硅片，我们认为硅片薄片化能够节省硅料、降低硅片生产成本，但反映到售价端仍有进一步下降的空间，以210 为例，N 型110 微米硅片相较于P 型150 微米硅片厚度下降26.7%，售价下降2.2%，价格下降幅度低于硅料节约幅度。未来随着N 型硅片规模化形成充分竞争后有望进一步降低N 型硅片售价，推动HJT 产业化进程。