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籽晶层热处理温度对ZnO纳米棒阵列性能的影响
作者:何林;刘敏霞;张耿;吴木营;罗诗裕; 作者单位:东莞理工学院电子工程学院; 加工时间:2013-12-20 信息来源:半导体光电
关键词:籽晶层;;热处理温度;;ZnO纳米棒阵列;;水热法
摘 要:以不同热处理温度下制备的ZnO籽晶层为基底,采用水热法生长ZnO纳米棒阵列,对制备得到的ZnO纳米棒阵列的相结构和微观形貌以及发光特性进行了表征,分析了籽晶层热处理温度对ZnO纳米棒阵列性能的影响机理,发现在籽晶层热处理温度为450℃时,生长得到的ZnO纳米棒阵列空间取向最优,发光性能最好。
内 容:原文可通过湖北省科技信息共享服务平台(http://www.hbstl.org.cn)获取
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