关键词：多晶硅；线状缺陷；线切割；夹杂物；太阳能
摘 要：研究了定向凝固生长的多晶硅线切割过程中在多晶硅片表面产生的线状缺陷的形貌特征及其形成机制.分别采用扫描电子显微技术和X射线衍射技术对多晶硅片线切割引起的线状缺陷的形貌特征及夹杂物进行研究,结果表明:多晶硅片表面线切割过程中形成的线状缺陷是因SiC夹杂物的存在而引起的,当切割钢丝与多晶硅中的SiC夹杂物相遇时,在拉力作用下钢丝爬越SiC夹杂物,同时在SiC夹杂物的表面发生研磨现象,在多晶硅片表面留下线状缺陷.