关键词：光谱学；光学特性；电场调制反射光谱；表面光电压光谱；激发荧光光谱；稀磁半导体；硒化锌铍锰；温度
摘 要：为了研究稀磁半导体Zn0.95-xBe0.05MnxSe(x分别为0.05,0.10,0.15,0.20)随温度变化的光学特性,采用电场调制反射光谱、表面光电压光谱及光激发荧光光谱等测量技术,进行了理论分析与实验验证,取得了一系列数据。结果表明,除x=0.1的样品外,其它样品的能隙会随Mn掺杂摩尔分数的增加而增大,这是由价带和导电中的电子和Mn中的d层电子彼此交换的相互作用产生的微小位移所致;温度升高时跃迁信号会向低能量方向移动,则是晶格-声子散射效应增加所致。
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