GaN基和LiZnAs基稀磁半导体的研究进展
作者单位：王爱玲,毋志民,赵若禺,WANG Ailing,WU Zhimin,ZHAO Ruoyu(重庆师范大学物理与电子工程学院,重庆401331;重庆市光电功能材料重点实验室,重庆401331)王聪,WANG Cong(重庆师范大学物理与电子工程学院,重庆,401331)
加工时间：2013-11-15
信息来源：材料导报
关键词：GaN基稀磁半导体;LiZnAs基新型稀磁半导体;居里温度;晶体结构;diluted magnetic semiconductor based on GaN;diluted magnetic semiconductor based on LiZnAs;Curie temperature;crystal structure
摘 要：综述了稀磁半导体及其研究进展,阐述了提高居里温度的方法.从晶体结构、材料的研究现状和待解决的问题几个方面详述了以GaN为代表的传统的Ⅲ-Ⅴ族基和LiZnAs为代表的新型Ⅰ-Ⅱ-Ⅴ族基两类稀磁半导体的基本特点,并展望了今后的研究重点及发展方向.
027-87841330