用于IEEE802.11 b/g/n WLAN的高线性度功率放大器
关键词:射频功率放大器(RF PA);异质结双极晶体管(HBT);误差向量幅度(EVM);无线局域网;负反馈镜像电路
摘 要:基于2μm的In Ga P/Ga As异质结双极晶体管(HBT)工艺设计了一种可应用于IEEE802.11 b/g/n无线局域网(WLAN)的高线性度射频功率放大器。为了提高射频功率放大器的线性度,采用了负反馈镜像电路提供直流工作点,设计了良好的输入、输出和级间匹配电路来提高射频功率放大器的线性输出功率。流片结果表明,在工作电压为3.3 V时,射频功率放大器的1 d B线性压缩输出功率(P1d B)可达27 d Bm,当误差向量幅度(EVM)为3%时,2.4 GHz64 QAM激励下,输出功率可达19.8 d Bm,满足标准规范要求。
内 容:原文可通过湖北省科技信息共享服务平台(http://www.hbstl.org.cn)获取