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开关电源功率器件MOSFET参数辨识的研究
作者:郑学艳;吴立锋;关永;潘巍;王国辉; 作者单位:首都师范大学 信息工程学院;首都师范大学 高可靠嵌入式系统技术北京市工程研究中心; 加工时间:2013-12-20 信息来源:测控技术
关键词:开关电源;;MOSFET;;混杂系统;;参数辨识
摘 要:功率器件MOSFET作为开关电源主电路的一个重要组成部分,其可靠性备受关注。研究表明,在开关电源电路元器件失效率统计中,MOSFET失效率达31%。而MOSFET失效主要表现为导通电阻参数漂移,为了对MOSFET导通电阻参数进行在线辨识,以Buck电路为例,基于混杂系统理论构建Buck电路混杂系统模型,采用递推最小二乘法对模型中MOSFET导通电阻参数进行辨识,并在Simulink环境下进行仿真实验。实验结果表明,该方法对MOSFET导通电阻进行了有效的在线辨识,辨识相对误差小干5%,为MOSFET参数性故障的分析提供了理论依据和方法。
内 容:原文可通过湖北省科技信息共享服务平台(http://www.hbstl.org.cn)获取
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