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热氧化生长的SiO2钝化膜对晶体硅太阳电池性能的影响

作者：熊胜虎；叶发敏；冯仕猛；郭爱娟作者单位：上海交大泰阳绿色能源有限公司,上海200240;上海交通大学物理系,上海200240 加工时间：2014-02-15 信息来源：《太阳能学报》

关键词：晶体硅；太阳电池；钝化；干氧氧化；表面复合
摘要：使用干氧热氧化的方法在晶体硅太阳电池表面生长SiO2钝化膜.结果表明:在780℃下生长的氧化薄膜钝化效果较好,实验检测少子寿命提高了8.3μs,以此为基础制备的太阳电池转换效率达到17.38％.实验还对氮气气氛下的氧化进行研究,发现当氮气流量为10L/min时,能强化薄膜的钝化效果,少子寿命可提高9.4μs.

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