空气吸附对石墨烯电学性能的影响
作者单位：周应秋,杨航,于晓燕,何彪,何焰蓝,彭刚,ZHOU Yingqiu,YANG Hang,YU Xiaoyan,HE Biao,HE Yanlan,PENG Gang(国防科学技术大学理学院,长沙,410073)黄晓琨,HUANG Xiaokun(北京航空航天大学电子信息工程学院,北京,100191)
加工时间：2013-11-15
信息来源：材料导报
关键词：化学气相沉积;石墨烯;场效应管;空气掺杂;载流子迁移率;chemical vapor deposition;graphene;field-effect transistor;air-doping;carrier mobility
摘 要：研究了空气掺杂对化学气相沉积(CVD)法制备的双层石墨烯底栅型场效应管电输运性能的影响.分别在大气、真空(＜1 Pa)、氮气以及不同湿度环境中测试了石墨烯场效应管的电学性能,测试结果表明大气中水分子和氧气分子的吸附导致的空穴掺杂作用使石墨烯的电学性能发生了严重退化,随着石墨烯表面吸附水分子和氧气分子的增多,狄拉克转变点电压向正方向的偏移量逐渐增大,空穴掺杂浓度增大,载流子迁移率减小.
027-87841330