关键词：Cr掺杂ZnTe；晶体生长；Te夹杂相；电学和光学性能
摘 要：以Cr Te作为掺杂源、以Te作为溶剂,用温度梯度溶液法生长了Cr掺杂的Zn Te晶锭。晶锭头部的晶粒尺寸较大(>10 mm×10 mm),且Te夹杂相较少。Te夹杂相的大小、形状和分布可以反映晶锭中的温场分布。晶锭的径向非对称温场导致富Te相沿径向非对称分布。Te夹杂相在温度梯度作用下的热迁移会导致其相互融合长大、变长。Te夹杂相也会在晶体中引入裂纹和空洞等缺陷。部分未被掺入Zn Te中的Cr Te富集于固液界面处,表明温度梯度溶液法生长晶体时具有一定的排杂作用。Cr掺杂的Zn Te晶体的电阻率(约1000?·cm)高于未掺杂的Zn Te(约300?·cm)。Cr掺杂晶体在约1750 nm处...
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