微观缺陷和3d电子对La2/3Ca1/3Mn1-xFexO3陶瓷磁电阻性能的影响
作者:黄宇阳;邓文;郭秋娥
作者单位:广西大学物理科学与工程技术学院,南宁530004;贵州毕节学院物理科学与技术学院,毕节551700
加工时间:2014-05-15
信息来源:《材料导报》
关键词:钙钛矿锰氧化物;正电子湮没技术;3d电子;磁电阻特性
摘 要:用符合正电子湮没辐射Doppler展宽技术研究了La2/3Ca1/3Mn1-xFexO3陶瓷的缺陷和3d电子行为.结果表明:对x≤0.33的样品,随着样品中Fe含量的增加,3d电子数量增加,样品的商谱谱峰升高;对x>0.50的样品,随着样品中Fe含量的增加,样品中有新相生成,体系缺陷增加,样品的商谱谱峰降低.测试了La2/3Ca1/3Mn1-x-FexO3多晶陶瓷的磁电阻性能,讨论了微观缺陷和3d电子对La2/3Ca1/3Mn1-xFexO3多晶陶瓷磁电阻性能的影响.