热蒸发法制备硫化镉(CdS)多晶薄膜及性能研究
作者单位：邵秋萍,张华,门传玲,田子傲,SHAO Qiuping,ZHANG Hua,MEN Chuanling,TIAN Ziao(上海理工大学能源与动力工程学院,上海,200093)安正华,AN Zhenghua(复旦大学先进材料实验室,上海,200433)
加工时间：2013-11-15
信息来源：材料导报
关键词：CdS薄膜;热蒸发;微观结构;光学特性
摘 要：采用热蒸发法在50℃、100℃、150℃这3种不同的基底温度下沉积CdS薄膜,且对150℃生长的CdS薄膜取样进行退火处理30 min,并对所有样品的微观结构和光学特性进行了分析.结果表明,不同基底温度下制备的CdS薄膜均具有(002)择优取向生长的特征,且随着基底温度的升高,(002)特征衍射峰强度增加,半高宽变小,相应薄膜结晶度增大,有利于晶粒的生长.最终发现,150℃生长且经过退火处理的薄膜具有较为明显的六方相CdS多晶薄膜结构和较优的光学性能,能满足高效CIGS薄膜电池中缓冲层材料的基本要求.
027-87841330