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基于阻变效应非挥发性存储器的研究概述
作者:陈心满;赵灵智;牛巧利 作者单位:华南师范大学光电子材料与技术研究所,广州510631 加工时间:2013-10-15 信息来源:《材料导报》
关键词:RRAM存储器;阻变效应;电阻存储;物理机制
摘 要:随着半导体技术节点的推进,传统的半导体存储技术已经满足不了人们对便携式信息产品的要求.阻变式存储器(RRAM)作为一种新的存储技术,其器件具有结构简单、与CMOS工艺兼容、可高密度集成以及快速存储等优势,引起人们广泛的研究兴趣并成为国内外研究的热点领域.就目前RRAM器件的研究现状,从RRAM器件的基本工作原理、微观物理机制、实际应用所遭遇的挑战以及新型RRAM器件等方面进行了简要评述.
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