大尺寸ZnTe单晶生长技术的研究进展
作者：刘文庆；钟柳明；张伟荣；王占勇；金敏；徐家跃
作者单位：上海大学微结构重点实验室,上海200444;上海大学微结构重点实验室,上海200444;上海应用技术学院材料科学与工程学院,上海201418;上海应用技术学院材料科学与工程学院,上海201418
加工时间：2013-10-15
信息来源：《材料导报》
关键词：Ⅱ-Ⅵ族化合物；ZnTe；单晶生长
摘 要：介绍了以光电应用为背景的大尺寸ZnTe单晶生长技术的研究进展,综述了大尺寸ZnTe单晶不同生长技术的特点及其对单晶性能的影响,重点分析了为解决ZnTe生长过程中存在的蒸汽压过高的问题,通过控制提高Te的比例,实现低温低压生长,对比了不同生长方法的生长机理差异及其对单晶尺寸、缺陷和性能的影响,为寻求解决大尺寸单晶生长面临的问题提供了参考.
027-87841330