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Si_3N_4原位增强Cu基复合材料的制备
作者:徐玉松;李鹏;靳翠平; 加工时间:2015-09-10 信息来源:复合材料学报
关键词:复合材料;Cu基;原位增强;Si3N4;制备
摘 要:采用感应炉熔炼及水雾化工艺制得了Cu-Si合金粉末,经N2、H2混合气体选择氮化和真空放电等离子烧结(SPS)成型,制备得到了Si3N4原位增强Cu基复合材料(Si3N4/Cu),利用萃取法研究了选择性氮化产物及其晶体结构。结果表明:复合粉末中N含量随氮化温度的升高和氮化时间的延长而增大。在1 000℃下氮化,持续时间大于60h时,粉末中的N含量明显提高;Cu的衍射峰出现整体向大角度方向的明显偏移,同时晶格常数变小,表明Si从Cu基体中脱溶,与N反应生成Si3N4;Si3N4/Cu复合材料的增强体以β-Si3N4为主;随着氮化温度的升高和氮化时间的延长,Si3N4/Cu复合材料的电导率和硬度逐...
内 容:原文可通过湖北省科技信息共享服务平台(http://www.hbstl.org.cn)获取
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