关键词：氮化镓;MIS-HEMT;强型;电子漂移;中科院院士;微电子所;微电子研究所;中国科学院;第三代半导体;禁带;
摘 要：近日,中国科学院微电子研究所氮化镓(Ga N)功率电子器件研究团队与香港科技大学教授陈敬团队、西安电子科技大学教授、中科院院士郝跃团队合作,在GaN增强型MIS-HEMT器件研制方面取得新进展,成功研制出具有国际先进水平的高频增强型Ga N MIS-HEMT器件。第三代半导体材料氮化镓具有高禁带宽度、高击穿电场、高饱和电子漂移速度等优异的物理性质,尤其
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