关键词：fast-growing procedure;lead-release free;precursor composition;surface coverage;thermal stability
摘 要：快速成膜工艺提供了一种简单、高产率、无铅释放的钙钛矿薄膜制备方法.在这一方法中,低浓度的钙钛矿前驱体溶液被滴到240℃的热衬底上,伴随着溶剂在高温条件下的迅速挥发,钙钛矿在衬底表面迅速结晶,生长成一层薄膜.在此过程中,所有含铅的原材料都被沉积到钙钛矿薄膜中,含铅原材料的浪费和铅释放导致的污染都被显著降低.这种方法制备的钙钛矿薄膜的性质可以由前驱体溶液的组分调节.CH_3NH_3Cl(MACl)可以调节结晶过程,有助于提高薄膜表面覆盖率.CH(NH_2)_2I(FAI)有助于提高钙钛矿薄膜的热稳定性.当前驱体组分为PbI_2·(1-x)FAI·xMACl,x=0.75时,快速成膜工艺制备的钙钛矿膜达到最优化性质,由此制备的平面结太阳电池可以实现超过15%的能量转换效率,迟滞现象很小,并且重复性良好.
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