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二氧化锡纳米线自催化生长及其发光特性研究
作者:李玉国;翟冠楠;张晓森;王宇;方香; 作者单位:山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所; 加工时间:2013-12-20 信息来源:半导体光电
关键词:SnO2;;纳米线;;自催化;;光致发光
摘 要:在没有添加任何催化剂情况下,通过热蒸发锡粉制备了二氧化锡纳米线。利用扫描电子显微镜,X射线衍射和透射电镜对上述纳米线进行了结构表征。实验结果表明二氧化锡纳米线直径在100~400nm,长度达数十微米。PL分析表明当激发波长为325nm时,在581nm处出现较强的黄色发光峰;在激发波长为250nm时,在可见光区域579nm处形成较强的发光峰,同时伴随一个385nm处较弱的发光峰。二氧化锡纳米线的生长机制符合气-固生长模式。
内 容:原文可通过湖北省科技信息共享服务平台(http://www.hbstl.org.cn)获取
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