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非均匀a-Si:H层的光致发光光谱研究

作者：BrunnerR；PincikE；KobayashiH；KuceraM；TakahashiM 作者单位：斯洛伐克科学院物理研究所,斯洛伐克共和国;斯洛伐克科学院电气工程研究所,斯洛伐克共和国;科学与工业研究所,大阪大学与CREST,日本科学与技术组织,日本加工时间：2013-12-15 信息来源：《冶金分析》

关键词：a-Si；H基结构；光致发光光谱
摘要：本文报道了沉积于玻璃基板上的a-Si:H基结构在6K下测定的光致发光光谱.认为其非高斯特性是由材料中的不同相引起的.由光谱拟合获得的数值数据结果显示,它们可以认为是两种有不同结构无序化度区域的光致发光叠加的结果.这是沉积过程的问题,相当于无定形氢化硅结构性能的理想情况.

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