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美半导体和Transphorm推出600V GaN晶体管
加工时间:2015-06-10 信息来源:半导体技术
关键词:GaN;Transphorm;安森美半导体;标准认证;参考设计;共源共栅;占位面积;评估板;电源设计;功率因数校正;
摘 要:美国时间2015年3月17日,安森美半导体和Transphorm宣布推出联名的NTP8G202N(TPH3202PS)和NTP8G206N(TPH3206PS)600 V Ga N共源共栅晶体管和使用这些器件的240 W参考设计。两款新品NTP8G202N(TPH3202PS)和NTP8G206N(TPH3206PS),导通阻抗典型值为150和290 mΩ,采用优化的TO-220封装,易于根据客户现有的制版能力而集成。两款600 V产品均已使用JEDEC标准认证并在量
内 容:原文可通过湖北省科技信息共享服务平台(http://www.hbstl.org.cn)获取
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