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S掺杂ZnO薄膜光电特性的研究
作者:李建国;蒋向东;王继珉;向斌宾 作者单位:电子科技大学光电信息学院,成都610054 加工时间:2014-02-15 信息来源:《材料导报》
关键词:ZnO;禁带宽度;ZnO∶S薄膜
摘 要:采用射频磁控溅射法,在玻璃基片上生长了ZnO∶S薄膜.XRD测试表明所制薄膜为六角纤锌矿结构,具有明显的(002)衍射峰.室温下的透射光谱测量结果表明,随着S掺入量的增加,ZnO∶S合金薄膜的吸收边向长波长方向移动,但在可见光部分有较高的透过率.在此基础上计算了各样品的禁带宽度,结果表明,在S掺入量小于8%的范围内,随着S掺入量的增加,禁带宽度减小.样品紫外光电导特性明显,在波长365nm、功率4000μW/cm2紫外光源照射下,紫外光与可见光所对应光电流响应之比可达3.
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