欢迎访问行业研究报告数据库

行业分类

当前位置:首页 > 报告详细信息

找到报告 1 篇 当前为第 1 页 共 1

一种基于0.18-μm CMOS工艺的新型超宽频带毫米波混频器设计与分析
作者:余振兴;冯军; 加工时间:2015-03-15 信息来源:电子学报
关键词:分布式混频器;宽中频;栅注入混频器(GPM);功率合成;毫米波(MMW)
摘 要:本文提出了一种超宽频带毫米波混频器电路.混频器采用分布式拓扑结构和中频功率合成技术,具有宽带宽和高转换增益.该混频器采用TSMC 0.18-μm CMOS工艺设计并制造,芯片总面积为1.67mm2.测试结果表明:混频器工作频率从8GHz到40GHz,中频频率为2.5GHz时的转换增益为-0.2d B至4d B,其本振到中频端口和射频到中频端口间的隔离度均大于50d B.整个电路的直流功耗小于32m W.
内 容:原文可通过湖北省科技信息共享服务平台(http://www.hbstl.org.cn)获取
© 2016 武汉世讯达文化传播有限责任公司 版权所有
客服中心

QQ咨询


点击这里给我发消息 客服员


电话咨询


027-87841330


微信公众号




展开客服