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镉在嵌入式碳纳米管-铋膜玻碳电极上的电化学行为及电位溶出法测定研究
作者:高云涛;周学进;刘琼;张公信;李晓芬 作者单位:云南民族大学化学与生物技术学院,云南昆明 650031;民族药资源化学国家民委-教育部重点实验室,云南昆明 650500 加工时间:2013-12-15 信息来源:《冶金分析》
关键词:镉;碳纳米管;铋膜电极;嵌入;循环伏安法;微分电位溶出法
摘 要:制备了一种新型嵌入式碳纳米管-铋复合膜玻璃碳电极,利用循环伏安法研究了Cd在电极上的电化学行为.Cd在电极具有一个不可逆的氧化峰,Epa=0.637 V(vs.SCE),电极对Cd具有高灵敏的电化学响应.研究了影响Cd微分电位溶出的因素,获得的最佳条件是:富集电位为-1.1V,Bi3+浓度为0.4 mg/L,pH 4.6 HAc-NaAc缓冲溶液.通过同位镀铋、标准加入法进一步提高了分析的可靠性.在最佳条件下,峰高与Cd质量浓度在0.1~2.0 μg/L范围呈线性,检出限为0.2 μg/L.对实际样品进行测定,测定值与原子吸收光谱法的结果一致,RSD在3.1%~7.2%范围,回收率在92%~102%之间.
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