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Silicon Storage Technology和GLOBALFOUNDRIES宣布其汽车级55nm嵌入式闪存技术已获认证
加工时间:2016-07-20 信息来源:集成电路应用
关键词:化合物半导体;元件结构;加工性能;系统小型化;立式结构;氮化镓;能隙;车载设备;横式;高速开关;
摘 要:功率器件领域已经进入到Si(硅)、Si C(碳化硅)、Ga N(氮化镓)三种半导体材料并用的时代。过去,人们一直利用硅的加工性能良好的特点,借助精雕细琢的元件结构,提高功率器件的性能并扩大其应用。现在,利用宽能隙材料,也就是化合物半导体制造的器件也投入实用,在提高能效、电源系统小型化、提高耐压等方面,其性能已经达到了硅器件无法企及的高度。Si C器件可以采用立式结构,用于大容量用途
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