关键词：GaAs赝高电子迁移率晶体管(PHEMT)；自偏置结构；收发一体多功能芯片；低噪声放大器；单刀双掷(SPDT)开关
摘 要：基于GaAs赝高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一种5~12 GHz的收发一体多功能芯片(T/R MFC),其具有噪声低、增益高和中等功率等特点。电路由低噪声放大器和多个单刀双掷(SPDT)开关构成。为了获得较低的噪声系数和较大的增益,低噪声放大器采用自偏置三级级联拓扑结构;为了获得较高的隔离度和较低的插入损耗,SPDT开关采用串并联结构。测试结果表明,在5~12 GHz频段内,收发一体多功能芯片的小信号增益大于26 d B,噪声系数小于4 d B,输入/输出电压驻波比小于2.0,1 d B压缩点输出功率大于15 d Bm。其中,放大器为单电源5 V供电,静态电流小于120 m A;...
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