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低电压的Si-Ge光电二级管

Low-voltage Si-Ge Avalanche photodiode

加工时间:2015-10-01 信息来源:科技报告(other) 索取原文[2 页]
关键词:低电压;光电二极管;APD
摘 要:Here we report a Si-Ge avalanche photodiode (APD) with a breakdown voltage of only -10V. The highest measured bandwidth is 15.8GHz for a 20μm diameter device. A bandwidth of 13.2 GHz at gain of 22.2 is obtained for the same device, giving a 290GHz gain-bandwidth product at 1550nm wavelength. 
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