关键词：Ni81Fe19薄膜；各向异性磁电阻；Y2O3插层
摘 要：以Y_2O_3作为Ni_(81)Fe_(19)薄膜的氧化插层,利用磁控溅射法制备了一系列不同插层厚度的Ni_(81)Fe_(19)薄膜样品Ta(4nm)/Y_2O_3(t)/Ni_(81)Fe_(19)(20nm)/Y2O3(t)/Ta(3nm),利用非共线四探针法测量薄膜样品的各向异性磁电阻(AMR),用振动样品磁强计测量样品的磁滞回线,利用X射线衍射仪(XRD)分析样品薄膜结构,研究了Y_2O_3插层厚度对Ni_(81)Fe_(19)薄膜各向异性磁电阻的影响。结果表明,在基片温度为450℃时,Ni_(81)Fe_(19)薄膜AMR值随插层厚度增加先增后减,在插层厚度为2.5nm时样品具有最...
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