关键词：Pinned型光电二极管(PPD)；量子效率；工艺条件；数值模拟
摘 要：为了更全面、系统地分析Si基Pinned型光电二极管(PPD,pinned photodiode)量子效率的工艺敏感特性,基于考虑表面(SRH,shockley-read-hall)复合率模型的时域有限差分数值模拟方法,对不同P+型表面层和P型外延(EPI,epitaxial)层工艺条件下PPD可见光谱量子效率的变化特征及物理机制进行了研究。结果表明,P+型表面层离子束注入剂量和注入能量的增加分别引起非平衡载流子SRH复合率升高和PPD势垒区顶部下移,均可导致低于500nm波段量子效率的衰减,而后者进一步引起的势垒区纵向宽度缩减使该影响可持续至650nm波段;P型EPI掺杂浓度增加引起PPD势...
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