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硫代硫酸盐法浸出废旧IC芯片中金的试验研究
作者:陈立乐;王景伟;白建峰;王鹏程;赵新; 加工时间:2015-03-15 信息来源:化工进展
关键词:粉碎;分离;硫代硫酸钠;废旧芯片;回收;浸金
摘 要:介绍了当前电子废弃物中常用的浸金方法及其优缺点,分析了电子废弃物中硫代硫酸盐法浸金的研究现状。针对这一研究现状,本文采用碱性Na2S2O3溶液中添加Cu2+的方法,对废旧IC(integratedcircuit)芯片中金的浸出进行了试验研究。通过对IC样品进行机械预处理、粒度分析、解离度分析、化学预处理和浸金试验,探讨了Na2S2O3浓度、Cu2+浓度、NH3浓度、浸出温度、浸出时间和反应液固比6个因素对金浸出率的影响。试验得出最佳浸金条件为:Na2S2O3浓度0.3mol/L,Cu2+浓度0.03mol/L,NH3浓度0.5mol/L,添加3.5g/L的Na2SO3作为稳定剂,浸取温度50℃...
内 容:原文可通过湖北省科技信息共享服务平台(http://www.hbstl.org.cn)获取
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