关键词：松下电器;英飞凌;GaN;常闭式;氮化镓;强型;联合开发;
摘 要：2015年3月20日,英飞凌科技股份公司和松下电器公司宣布,两家公司已达成协议,将联合开发采用松下电器的常闭式(增强型)硅基氮化镓(Ga N)晶体管结构,与英飞凌的表贴(SMD)封装的Ga N器件。在此背景下,松下电器向英飞凌授予了使用其常闭型Ga N晶体管结构的许可。按照这份协议的规定,两家公司均可生产高性能Ga N器件。由此带来的益处是客户可以从两条渠道获得采用可兼容封装的
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