关键词：晶体管;;沟道长度;;漂移区长度;;饱和电流
摘 要：依据退化实验结果,并结合半导体器件工艺模拟软件TCAD仿真,详细研究了高压绝缘体上硅(SOI)p型横向双扩散MOSFET(pLDMOS)饱和电流的热载流子退化机理,以及不同沟道长度和漂移区长度对器件热载流子退化的影响。研究结果表明,在应力初始阶段,热电子注入机制强于界面态机制,饱和电流随着应力时间的增加而增加;应力后期,界面态机制强于电子注入机制,饱和电流逐渐减小。此外,研究还发现,器件沟道越长,饱和电流退化越小;漂移区越长,饱和电流退化也越小。
内 容：原文可通过湖北省科技信息共享服务平台（http://www.hbstl.org.cn)获取