欢迎访问行业研究报告数据库

行业分类

当前位置:首页 > 报告详细信息

找到报告 1 篇 当前为第 1 页 共 1

不同源漏掺杂方式对CCD放大器的影响
作者:王晓强;林海青;许青;韩恒利; 作者单位:重庆光电技术研究所; 加工时间:2013-12-20 信息来源:半导体光电
关键词:放大器;;离子注入;;沟道长度;;直流输出
摘 要:通过对CCD片上放大器不同源漏掺杂条件、方块电阻、接触电阻、有效沟道长度的分析研究,确定了源漏工艺条件为磷离子注入能量100keV、剂量5×1015 cm-2。分析了扩散、离子注入源漏掺杂对放大器直流输出的影响,结果表明,当宽长比为4/1时,注入源漏掺杂制作的放大器直流输出与仿真值差异为0.28V,优于扩散工艺。
内 容:原文可通过湖北省科技信息共享服务平台(http://www.hbstl.org.cn)获取
© 2016 武汉世讯达文化传播有限责任公司 版权所有
客服中心

QQ咨询


点击这里给我发消息 客服员


电话咨询


027-87841330


微信公众号




展开客服