磁场应用在硅晶体生长过程中的研究进展
作者单位:张发云,罗玉峰,李云明,王发辉,胡云,ZHANG Fayun,LUO Yufeng,LI Yunming,WANG Fahui,HU Yun(新余学院新能源科学与工程学院,新余338004;新余学院江西省高等学校硅材料重点实验室,新余338004)彭华厦,PENG Huaxia(新余学院江西省高等学校硅材料重点实验室,新余,338004)
加工时间:2013-11-15
信息来源:材料导报
关键词:多晶硅;磁场;杂质;分凝行为;数值模拟;multicrystalline silicon;magnetic field;impurity;segregation behavior;numerical simulation
摘 要:论述了磁场技术应用于硅晶体生长中的基本概况,探讨了磁场影响硅晶体生长的机制,重点阐述了各种磁场的分类、基本原理及其在硅晶体生长的应用,并归纳总结了国内外磁场应用于硅晶体生长中的研究现状.另外,对硅晶体生长中杂质的分凝行为和数值模拟作了简要介绍,并展望了磁场应用于硅晶体生长的发展前景.