关键词：InNSb薄膜；红外反射光谱；红外探测器；退火
摘 要：对基于GaAs失配衬底的新型红外探测材料InN_(0.01)Sb_(0.99)薄膜的远红外反射光谱,以及制备成光电导器件后的黑体响应和光电流谱进行了测试,获得了80 K温度下,响应峰值约为4.4μm、半高宽约为3.5μm、截止波长约为5.7μm的中波宽带响应红外探测原型器件.研究了退火对In N_(0.01)Sb_(0.99)薄膜光电导器件性能的影响,发现退火能够改善晶体质量,提高器件的响应能力,并减小Moss-Burstein效应的影响.
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