关键词：氮化铝；第一性原理；电子结构；p 型掺杂
摘 要：基于密度泛函理论的第一性原理全势线性缀加平面波法，分别研究了AlN 在Na 单掺杂和Na:O 共掺杂情况下的晶格结构、电子态密度及能带结构。计算结果表明：Na 单掺杂AlN 和Na:O 共掺杂AlN 均为直接带隙半导体材料，且表现出p型掺杂特性；相比于本征AlN 晶体，两者的晶格结构均膨胀，而Na:O 共掺杂相对Na 单掺杂AlN 晶格膨胀较小；Na 单掺杂AlN 的价带顶态密度具有较强的局域化特性，不利于掺杂浓度的提高；与Na 单掺杂AlN 相反，Na:O 共掺杂AlN 的价带顶态密度局域化特性明显减弱，受主能级变浅，有利于AlN 的p 型掺杂。