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隧道场效应晶体管中势垒厚度调制的电导和亚阈值摆幅电压的基本权衡

Fundamental Tradeoff between Conductance and Subthreshold Swing Voltage for Barrier Thickness Modulation in Tunnel Field Effect Transistors
作者:Sapan Agarwal;Eli Yablonovitch 作者单位:University of California 加工时间:2014-03-17 信息来源:EECS 索取原文[4 页]
关键词:隧道场效应晶体管;势垒厚度;亚阈值摆幅
摘 要:There is a fundamental tradeoff between conductance and subthreshold swing voltage in tunnel field effect transistors that achieve a sharp turn off by modulating the tunnel barrier thickness.
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