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采用先进半导体本地化技术的深紫外和深绿色LED的失效模式描述

Characterization of Failure Modes in Deep UV and Deep Green LEDs Utilizing Advanced Semiconductor Localization Techniques
作者:Miller, M. A.Cole, E. I.Tangyunyong, P. 作者单位:Sandia National Labs., Albuquerque, NM.;Department of Energy, Washington, DC. 加工时间:2013-11-19 信息来源:科技报告(DE) 索取原文[51 页]
关键词:电子信息;半导体;LED;失效模式
摘 要:We present the results of a two-year early career LDRD that focused on defect localization in deep green and deep ultraviolet (UV) light-emitting diodes (LEDs). We describe the laser-based techniques (TIVA/LIVA) used to localize the defects and interpre.
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