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HgI_2多晶薄膜的气相同质外延生长
作者:许岗;谷智;魏淑敏; 作者单位:西安工业大学材料与化工学院;西北工业大学凝固技术国家重点实验室; 加工时间:2013-12-20 信息来源:半导体光电
关键词:碘化汞;;多晶薄膜;;同质外延;;定向生长
摘 要:为提高HgI2多晶薄膜的气相定向生长效果,在ITO导电玻璃上从不同浓度的C3H6O-HgI2-H2O溶液中过饱和析出HgI2衬底层。通过XRD对比衬底层的定向效果,选择最佳的衬底并气相外延沉积HgI2多晶薄膜。利用SEM、XRD分析了薄膜的定向生长特性;以137 Cs为放射源,在室温下测试了探测器的探测效率。
内 容:原文可通过湖北省科技信息共享服务平台(http://www.hbstl.org.cn)获取
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