金属基Pt/ITO薄膜热电偶的制备
作者：赵文雅;蒋洪川;陈寅之;张万里;刘兴钊;彭少龙;唐磊;
作者单位：电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室;中国燃气涡轮研究院测控室;
加工时间：2013-12-20
信息来源：测控技术
关键词：Pt/ITO薄膜热电偶;;静态标定;;热电势;;塞贝克系数
摘 要：采用多层膜结构制备了金属基Pt/ITO薄膜热电偶,薄膜热电偶由Ni基合金基片、NiCrAlY过渡层、热生长Al_2O_3层、Al_2O_3绝缘层、Pt/ITO功能层和Al_2O_3保护层构成。静态标定结果表明:样品的平均塞贝克系数为107.45μV/℃。测试温度可达到1000℃。时效处理可以有效提高薄膜热电偶的输出热电势。
内 容：原文可通过湖北省科技信息共享服务平台（http://www.hbstl.org.cn)获取
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