关键词：化学气相沉积；数值模拟；还原炉；多晶硅
摘 要：建立描述SiHCl3-H2系统中混合气体的动量、热量和质量同时传递,且耦合气体反应、表面反应的模型,研究利用计算流体力学CFD( Computational Fluid Mechanics)软件Fluent6.2结合物质传递和反应模型,数值模拟三维还原炉内物质分布规律、热传递现象和多晶硅的沉积特性.计算结果表明,随气体流量、硅棒表面温度和操作压力的增加,硅沉积速率增长.理论研究结果对优化现有12对棒还原炉工艺参数和设计新型、大直径还原炉具有理论指导意义.